硅靶報價(jià),硅靶哪里有賣(mài),硅靶

濺射靶材種類(lèi)繁多，就ITO導電玻璃中使用硅靶.鋁靶.鈮靶等三種以上。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。平板顯示靶材技術(shù)要求也很高，它要求材料高純度、面積大、均勻性程度高。鋁、銅、鉬、鉻等，主要應用于薄膜太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能靶材技術(shù)要求高、應用范圍大。靶材的核心功能是作為沉積薄膜的濺射源，按材質(zhì)可分為金屬靶、陶瓷靶與合金靶，其下游應用主

2024-08-04 面議/套

高純AZO靶材,氧化鋅鋁靶材,A

什么是高純?yōu)R射靶材？就是利用各種高純單質(zhì)金屬及新型化合物制得的功能薄膜為（簡(jiǎn)單理解就是純度更高）。在光學(xué)器件領(lǐng)域。WSTS預計，2018年半導體規模增速達12.4%。特別是存儲器市場(chǎng)。增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，價(jià)格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、AI等新應用拉動(dòng)下游需求。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品

2024-08-04 面議/套

銅靶Cu,石墨靶C,硅靶Si,鐵靶

ITO靶、AZO靶，氧化鎂靶、氧化鐵靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、硫化鎘靶，硫化鉬靶，二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶，五氧化二鉭靶，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、氟化鎂靶，硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳

2024-07-31 面議/套

高純AZO靶材,98:2AZO靶材,AZ

什么是磁控濺射鍍膜靶材？磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式,就是用電子系統把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。濺射靶材有金屬，合金，陶瓷，硼化物等。濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)。光學(xué)器件應用范圍非常廣泛，主要包括智能手機、車(chē)載鏡頭、安防監控設備、數碼相機、光碟機、投影機等，元器件及光學(xué)鏡頭。 ?

2024-07-31 面議/套

高純鉻靶,鉻管靶,鉻靶材源頭

? ? 鎳鉑合金濺射靶材在半導體制造中的應用及發(fā)展趨勢。金屬硅化物具有不錯的高溫舒緩反應性以及良好的導電、導熱性，已廣泛應用于半導體制造中作為優(yōu)良的接觸材料。隨著(zhù)金屬硅化物的不斷發(fā)展，主要的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。鎳鉑硅化物薄膜在半導體制造中的應用,廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅動(dòng)器等電路中。隨著(zhù)肖特基二極管工藝不斷發(fā)展，金屬硅化物-硅接觸已取代了

2024-07-31 面議/套

黃金靶材,玫瑰金靶材,氮化鈦

? ? 除了光照及電應力會(huì )影響a-IGZOTFT的穩定性外，其對空氣中的氧氣和水蒸氣也較為敏感，長(cháng)處于潮濕空氣中會(huì )使其性能發(fā)生明顯下降。同時(shí)，IGZO背溝道表面在薄膜制備過(guò)程或者環(huán)境中容易受到，也是其穩定性不高的原因之一。IGZOTFT電學(xué)特性在氫氧環(huán)境中也會(huì )發(fā)生衰退。2016年大部分國家高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規模約為113.6億美元，預計到2019年，大部分國家高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規模將超過(guò)163億美元，

2024-07-31 面議/套

各種平面靶材,金屬靶材源頭

? ? ? 靶材可分為：長(cháng)靶、方靶、圓靶。按應用領(lǐng)域不同可分為：半導體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。濺射：即集成電路制造過(guò)程中要反復用到的工藝；靶材：就是濺射工藝中必不可少的重要原材料。那么，不同應用領(lǐng)域，對材料的選擇及性能要求也有一定差異，Low-E玻璃具有可以阻止空氣由熱向冷傳遞的特性,其指標有：輻射率、可見(jiàn)光透射比、遮陽(yáng)系數、傳

2024-07-31 面議/套

高純氧化鈮靶材 Nb2O5靶材

? ? ? 氧化銦中僅添加了氧化錫的ITO，由于燒結時(shí)蒸氣壓高，采用利用蒸發(fā)和凝縮來(lái)燒結的機構，難以產(chǎn)生收縮，燒結體致密化困難。鍍膜時(shí)，若片材的密度過(guò)低，則在照射電子束時(shí)材料從表面蒸發(fā)出來(lái)并同時(shí)引起靶材的急劇燒結，存在由局部片材收縮所引起的靶材破損問(wèn)題。另一方面，若靶材密度過(guò)高，則在照射電子束時(shí)靶材的表面和內部產(chǎn)生溫度差，并因熱膨脹的差異而發(fā)生靶材破損（由熱沖擊引起的破損）的問(wèn)題。若發(fā)生靶材破損，

2024-07-31 面議/套

AZO靶材價(jià)格 AZO鍍膜靶材 AZ

? ? ? 靶材，特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝（PVD）、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過(guò)在PVD設備中用離子對目標物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱(chēng)為濺射靶材。 ? ? ? 薄膜太陽(yáng)能電池比傳統的晶體硅太

2024-07-31 面議/套