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供應標題:銅管靶,旋轉銅靶,銅靶材報價(jià),銅靶材源頭生產(chǎn)商
價(jià)格:電儀
發(fā)布公司:廣州市尤特新材料有限公司
供貨總量:9999
聯(lián)系人:楊永添
發(fā)貨地點(diǎn):廣東 廣州 花都區
發(fā)布時(shí)間:2024年08月22日
有效期至:2025年09月12日
在線(xiàn)詢(xún)盤(pán):在線(xiàn)詢(xún)盤(pán)
產(chǎn)品綜合信息質(zhì)量:未計算
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熱噴涂也有缺點(diǎn):噴涂作業(yè)環(huán)境差、粉塵嚴重、噴涂材料利用率低、熱效率低、難以制備厚度較大的覆層材料等。隨著(zhù)技術(shù)的革新,冷噴涂技術(shù)出現,進(jìn)一步優(yōu)化了噴涂的技術(shù)。冷噴涂制備的陶瓷涂層和金屬涂層,致密性比熱噴涂更高,而含氧量則更低。陶瓷涂層已成功應用于航空、航天、國防、化工、機械、電力、電子等行業(yè)。金屬表面陶瓷涂層能改變金屬基體表面的形貌、結構與化學(xué)組成,并賦予基體新的性能。在廣州,已經(jīng)有企業(yè)同時(shí)擁有熱噴涂和冷噴涂的加工能力。冷噴涂制備的陶瓷涂層和金屬涂層,致密性比熱噴涂更高,而含氧量則更低。
進(jìn)一步:噴涂了CuSe堆積層的基體外表面包裹一層防滲漏材料,在冷等靜壓機中高壓處理,壓力不超過(guò)1000MPa。進(jìn)一步:在氣氛保護爐中,保護氣體為氬氣或氮氣,高溫燒結獲取的旋轉靶材毛坯,溫度100~300℃,加熱處理5小時(shí),靶材相對密度%~98%。噴射的時(shí)候可以采用熱噴涂和冷噴涂的主氣進(jìn)行噴涂,便于有效地進(jìn)行噴涂并去掉生產(chǎn)時(shí)的雜質(zhì)。且在生產(chǎn)控制的過(guò)程中還可以采用放大鏡觀(guān)察判斷是否有雜質(zhì)粉末殘留。此外,噴涂房在中途開(kāi)啟過(guò)后,也可用噴涂機噴射惰性氣體噴洗噴涂房?jì)鹊幕芗爸苓厖^域,并開(kāi)啟過(guò)濾和排氣系統,進(jìn)一步有效在生產(chǎn)過(guò)程中控制靶材的雜質(zhì)。毋庸置疑,籠罩大部分國家半導體產(chǎn)業(yè)鏈條的陰霾短不會(huì )散去,而對于正處快速成長(cháng)期的中國企業(yè)而言。
隨著(zhù)芯片的使用范圍越來(lái)越廣泛,芯片市場(chǎng)需求數量增長(cháng),對于鋁、鈦、鉭、銅這四種業(yè)界主流的薄膜金屬材料的需求也一定會(huì )有增長(cháng)。種薄膜金屬材料的其他方案,所以這四種材料目前看不到被替代的風(fēng)險。在競爭格局上,由于濺射鍍膜工藝起源于國外,所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高,產(chǎn)主要集中在美國、日本少數幾家公司,產(chǎn)業(yè)集中度相當高。以霍尼韋爾(美國)、日礦金屬(日本)、東曹(日本)等為代表的濺射靶材生產(chǎn)商占據大部分國家絕大部分市場(chǎng)份額。握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后,實(shí)施極其嚴格的保密措施,限制技術(shù)擴散,同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴張和垂直整合,將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個(gè)應用領(lǐng)域。市場(chǎng)的主動(dòng)權,并帶領(lǐng)著(zhù)大部分國家濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。噴涂靶話(huà)。
被廣泛應用于航空航天、電子電氣、建筑、運輸、能源、化工、紡織、食品、輕工、、農業(yè)等行業(yè)。半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高,隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái),相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展,同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。硅的原子結構決定了硅原子具有一定的導電性,但由于硅晶體中沒(méi)有明顯的自由電子,因此導電率不及金屬,且隨溫度升高而增加,因而具有半導體性質(zhì)。國際上通常把商品硅分成金屬硅和半導體硅,金屬硅主要用來(lái)制作多晶硅、單晶硅、硅鋁合金及硅鋼合金的化合物。鋁靶、銅靶用于導電層薄膜。在半導體芯片制造的金屬化工藝過(guò)程中,氧化鎢薄膜是一種被廣泛研究的功能材料。濺射直銷(xiāo)。
濺射靶材磁控濺射原理:在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng),在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場(chǎng),同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率加大,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。
高溫納米陶瓷涂層是將復合稀土納米陶瓷漿料噴涂于金屬或者非金屬表面,經(jīng)干燥固化升溫后,星騁復合稀土納米陶瓷薄膜層,納米陶瓷層具有不錯的高溫穩定性、抗腐蝕能力和硬度及非浸潤性的表面力學(xué)性能。高溫納米陶瓷材料涂層的作用機理如下:(1)致密的陶瓷薄膜隔絕了基質(zhì)與外部環(huán)境的接觸,同時(shí)發(fā)揮了納米陶瓷層的舒緩反應性,耐高溫腐蝕、耐磨損等性能,附著(zhù)在基材表面,一體提升基材性能和可靠性,有效防止基材的氧化、高溫腐蝕和磨損。(2)納米陶瓷涂層由特殊配方經(jīng)納米化工藝加工而成的,比表面能表,使熔融的灰粒很難粘附在受熱面上,具有良好的抗污性能。(3)納米陶瓷層具有高發(fā)射率、高導熱率,噴涂后能提高水冷壁黑度,增強水冷壁吸熱量,使基材的溫度有所降低,有利于基材能夠在相對較低的溫度水平下運行。
WSTS(大部分國家半導體貿易統計籌備)數據顯示,濺射靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領(lǐng)域。其中,在濺射靶材應用領(lǐng)域中,半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀(guān)結構等方面都設定了極其苛刻的標準,需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(cháng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此,半導體芯片對濺射靶材的要求是較高的,價(jià)格也較為昂貴。靶材產(chǎn)業(yè)鏈:濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈基本呈金字塔型分布。產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環(huán)節。磁控膜玻璃出現脫膜現象幾大原因:原片存放因素,玻璃表面越新鮮,表面活性越大,與膜層的結合力越強,反之則差。使用存放期過(guò)長(cháng)的玻璃,由于玻璃表面霉變和附著(zhù)的污物會(huì )大量增加。
尤供用應的AZO靶材,出口多個(gè)國家,目前能
2024-07-14透明導電氧化物(TCO)薄膜因其導電性和透光
2024-07-14在裝飾鍍膜中也有著(zhù)廣泛的應用,獲得光亮、美觀(guān)、
2024-07-14鋁靶、銅靶用于導電層薄膜。在半導體芯片制造的
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