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氮化鉭(TaN)靶材 99.9%
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價(jià)格(不含稅)
1
3800.00元/片
供應標題:氮化鉭(TaN)靶材 99.9%
價(jià)格:電儀
發(fā)布公司:北京金源新材科技有限公司
供貨總量:100
聯(lián)系人:張文明
發(fā)貨地點(diǎn):北京 北京 海淀區
發(fā)布時(shí)間:2024年07月01日
有效期至:2024年08月15日
在線(xiàn)詢(xún)盤(pán):在線(xiàn)詢(xún)盤(pán)
產(chǎn)品綜合信息質(zhì)量:未計算
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基本信息
氮化鉭(TaN)靶材 99.9%
氮化鉭陶瓷靶材是一種分子式為T(mén)aN的氮化物陶瓷濺射材料, 其熔點(diǎn)3090℃,密度14.3g/cm³。它有時(shí)用于在銅或其他導電金屬與介電絕緣膜(如熱氧化物)之間創(chuàng )建阻擋層或“膠水”層。這些薄膜在集成電路制造過(guò)程中沉積在硅片頂部,以創(chuàng )建薄膜表面貼裝電阻器和其他電子應用。
氮化鉭 (TaN) 薄膜是一種有吸引力的擴散阻擋涂層材料,用于電子工業(yè)。TaN薄膜是通過(guò)直流濺射、CVD和脈沖激光沉積等方法制造的。在這項研究中,為了降低能源成本,在低真空條件下通過(guò)反應濺射將 TaN 薄膜沉積在 Si (111) 晶片、鈉玻璃基板上。N2/Ar 氣的質(zhì)量流量在 N2 氣下從 9% 到 23% 不等。在較低的 N2 氣流下,獲得結晶 TaN 薄膜。使用 XRD 在其他速率范圍內觀(guān)察到非晶如 TaN 薄膜。通過(guò) GDS 深度分析,在結晶 TaN 膜與 Si 晶片和玻璃基板之間觀(guān)察到 Ta 氧化物層。膜厚為200-400nm。
北京金源新材科技有限公司基本信息
員工人數:10-50人 廠(chǎng)房面積: 年營(yíng)業(yè)額:人民幣50萬(wàn)元/年-人民幣100萬(wàn)元/年
年進(jìn)口額:人民幣10萬(wàn)元/年-人民幣30萬(wàn)元/年 年出口額:人民幣10萬(wàn)元/年-人民幣30萬(wàn)元/年 主要市場(chǎng):
客戶(hù)群:
公司名稱(chēng):北京金源新材科技有限公司
注冊資本:人民幣100萬(wàn)元/年-人民幣200萬(wàn)元/年 公司網(wǎng)址:http://ginsrc.glass.com.cn聯(lián)系人:張文明
電話(huà):--51617358-
移動(dòng)電話(huà):13520577626
傳真:86--51617357-
地址:北京市海淀區清河安寧莊東路18號
網(wǎng)址:http://ginsrc.glass.com.cn
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