冷噴涂鈮靶材 Nb濺射靶材 鈮

? ? ? 合金靶材： 鉻鋁合金靶，金鈀合金，金錫合金，金鍺鎳合金，鋁釩合金靶，鋁鉻釔合金靶，鋁硅合金靶，鋁硅銅合金靶，鋁鐵合金靶，鎂鉻合金靶，鉬鎳合金靶，鎳鉑合金靶，鎳釩合金靶，鎳鉻合金靶，鎳鉻鋁釔合金靶，鎳硅合金靶，鎳碳合金靶，鎳鐵合金靶，坡莫合金靶，鎳銅合金靶，鈦硅合金靶，鈦鋁硅合金靶，鈦硅碳合金靶，鈦鋁合金靶，鈦鎳合金靶，鈦鎢合金靶，鐵碲合金靶，鐵鉻鈷合金靶，鐵鈷合金靶，鐵鎳合金靶，鐵鈷鎳

2024-08-26 面議/套

釹鋁合金靶材 釹鋁靶材 高純

? ? ? UVTM擁有廣東省“科技小巨人”企業(yè)稱(chēng)號、“廣東省省鎢鉬深加工工程實(shí)驗室”、“深圳市鎢鉬靶材工程技術(shù)研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工工程研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工研發(fā)中心”、“深圳市企業(yè)技術(shù)中心”、“廣東省鎢鉬靶材及硬質(zhì)合金新材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟”盟主稱(chēng)號，與國內多所高校、研究院所建立了良好的產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系，為公司技術(shù)研發(fā)提供良好的服務(wù)平臺，提高企業(yè)科研創(chuàng )新活力。 ? ? ? 目

2024-08-26 面議/套

鈦硅合金靶材,鈦硅靶材,金屬

? ? ? 鈦硅合金材料是一種高熔點(diǎn)的金屬間化合物，具有低的密度、良好的舒緩反應性，因而受到廣泛的重視。TiSi2是一種重要的硅化物，具有較好的高溫穩定性、較高的高溫強度和良好的舒緩反應能力，有希望成為1200℃以上使用的結構材料。由于其電阻和熱阻均較低，TiSi2也有希望應用于電氣連接和擴散阻擋層，目前已被作為歐姆接觸和金屬互聯(lián)材料廣泛用于超大規模集成電路制造技術(shù)中。形成鈦硅涂層，用磁控濺射法，

2024-08-26 面議/套

旋轉鈦硅靶材,噴涂鈦硅靶,鈦

? ? ? 鈦硅合金（TiSi）具有低電阻率、較高的熱穩定性以及化學(xué)穩定性等諸多不錯的性能。傳統的鈦硅合金的制備是采用純金屬鈦和硅為原料制備的，由于金屬鈦制備成本高，工藝流程長(cháng)，導致制備的鈦硅合金成本較高。工業(yè)用硅粉、碳粉和碳化鈦為原料，利用放電等離子燒結技術(shù)原位反應制備了TiSi2/SiC兩相復合材料。弱放熱反應TiSi2燃燒合成的粉末冶金技術(shù)，用自蔓延高溫燃燒法合成了TiSi2單相化合物，其合

2024-08-26 面議/套

鈮靶材價(jià)格 鈮旋轉靶材 高純

半導體芯片的需求市場(chǎng)比較龐大，集中在手機、PC、、AI、物聯(lián)網(wǎng)、電子汽車(chē)、5G等領(lǐng)域，龐大的市場(chǎng)還是手機、PC、可穿戴設備等電子消費產(chǎn)品。大部分國家電子產(chǎn)品消費市場(chǎng)都不景氣，且短期內很難迎來(lái)報復性增長(cháng)。中國的集成電子領(lǐng)域是一個(gè)穩步增長(cháng)的發(fā)展階段，中芯國際等優(yōu)勢企業(yè)像雨后春筍般涌現出來(lái)。微電子靶材這塊，該屬于第二梯隊，梯隊仍然是日本的公司和美國的霍尼爾等公司。在過(guò)去十幾年里，中國的微電子靶材從零開(kāi)始

2024-08-26 面議/套

鋅錫合金靶材,澆注鋅錫靶材,

真空鍍膜設備主要指一類(lèi)需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類(lèi)，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材�；�片與靶材同在真空腔中。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程（散點(diǎn)－島狀結構-迷走結構-層狀生長(cháng)）形成薄膜。對于濺射類(lèi)鍍膜，可

2024-08-23 面議/套

AZO靶材,旋轉AZO靶材,氧化鋅

目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等，HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導電薄膜。靶材也逐步向國產(chǎn)化方向努力;設備進(jìn)口替代降低投資成本。機構預測，到2023年，國內光伏電池用濺射靶材市場(chǎng)將達60億元。磁記錄靶材市場(chǎng)可達107億元，顯示面板用靶材市場(chǎng)規模有望達到246億元。濺射靶材種類(lèi)繁多，就ITO導電玻璃中使用硅靶.鋁靶.鈮靶等三種以

2024-08-23 面議/套

旋轉AZO靶材,平面zao靶材,AZ

芯片制造對濺射靶材金屬純度的要求較高，通常要達到99.9995%以上，而平板顯示器、太陽(yáng)能電池分別要求達到99.999%、99.995%以上，若濺射靶材的雜質(zhì)含量過(guò)高，形成的薄膜就無(wú)法達到使用所要求的電性能，將嚴重影響薄膜的性能。目前，全球的靶材制造行業(yè)在高純度的靶材市場(chǎng)，呈現寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持著(zhù)，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛(ài)發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、

2024-08-23 面議/條

綁定鉭靶,綁定硅靶,靶材綁定

? ? 太陽(yáng)能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。高純貨品靶材被譽(yù)為半導體芯片材料的強者，半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應用廣泛，因貨品有良好的化學(xué)穩定性，高電導率、熱導率，以及特有的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等

2024-08-23 面議/套