真空鍍膜機的操作方法介紹:真空鍍膜機主要指一類(lèi)需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜儀器，主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。真空鍍膜機的應用是很復雜的，用戶(hù)需要掌握一定的操作知識。下面小編就來(lái)具體介紹一下真空鍍膜機的操作方法，希望可以幫助到大家。電控柜操作:1.開(kāi)水泵、氣源。2.開(kāi)總電源。3.開(kāi)維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。4.開(kāi)機械泵、予抽，開(kāi)渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計開(kāi)關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。5.觀(guān)察渦輪分子泵讀數到達250以后，關(guān)予抽，開(kāi)前機和高閥繼續抽真空，抽真空到達一定程度后才能開(kāi)右邊的高真空表頭，觀(guān)察真空度。真空到達2×10-3以后才能開(kāi)電子電源。

金屬硅化物具有優(yōu)異的高溫舒緩反應性以及良好的導電、導熱性，已廣泛應用于半導體制造中作為優(yōu)良的接觸材料。隨著(zhù)金屬硅化物的不斷發(fā)展，主導的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。

鎳鉑硅化物薄膜在半導體制造中的應用

廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅動(dòng)器等電路中。隨著(zhù)肖特基二極管工藝不斷發(fā)展，金屬硅化物-硅接觸已取代了傳統的金屬-硅接觸，避免了表面缺陷與沾污，降低了表面態(tài)的影響，提高了器件的正向特性、反向耐壓、反向能量沖擊、耐高溫、抗靜電、抗燒毀能力。

在半導體集成電路中的應用

鎳鉑硅化物還廣泛用于超大規模集成電路(VLSI)微電子器件中源、漏、柵極與金屬電極間的接觸。

為了減小鎳鉑硅化物整體的阻抗，IBM 的專(zhuān)利采用兩步驟制造 NiPtSi薄膜：較好步濺射沉積 Pt 含量較高的鎳鉑合金薄膜，第二步濺射沉積 Pt 含量較低的鎳鉑合金薄膜甚至不含 Pt 的純鎳薄膜。這樣形成的鎳鉑硅化物薄膜上表面的 Pt 含量低，有助于減小鎳鉑硅化物整體的阻抗。

鎳鉑硅化物作為優(yōu)良的接觸材料廣泛應用于半導體制造中，鎳鉑合金濺射靶材成為保證半導體器件性能和發(fā)展半導體技術(shù)的關(guān)鍵材料，其不斷增長(cháng)的需求量為中國貴金屬靶材制造業(yè)的發(fā)展提供了機遇和挑戰。

主營(yíng)產(chǎn)品：濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉靶材,平面靶材,噴涂靶材,靶材,UV玻璃油墨 公司成立年份：2003
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