硅的原子結構決定了硅原子具有一定的導電性，但由于硅晶體中沒(méi)有明顯的自由電子，因此導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域對靶材濺射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀(guān)結構。電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數之一，除特殊用途外，絕大多數硅靶材電阻率要求越低越好，開(kāi)始應用時(shí)電阻率要求在0.1-0.5Ω?cm范圍內，逐漸降低至小于0.1Ω?cm，目前標準電阻率為0.02-0.04Ω?cm。

為克服現有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開(kāi)發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過(guò)的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω?cm。純度大于5N，且致密度大于99％。按使用的原材料材質(zhì)不同，濺射靶材可分為金屬/非金屬單質(zhì)靶材、合金靶材、化合物靶材等。濺射鍍膜工藝可重復性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結合力強等優(yōu)點(diǎn)，已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，各種類(lèi)型的濺射薄膜材料已得到廣泛的應用，因此，對濺射靶材這一具有高附加值的功能材料需求逐年增加，濺射靶材亦已成為目前市場(chǎng)應用量大的PVD鍍膜材料。

從市場(chǎng)前景來(lái)看，薄膜太陽(yáng)能電池在光伏建筑一體化、大規模低成本發(fā)電站建設等方面比傳統的晶體硅太陽(yáng)能電池具有更加廣闊的市場(chǎng)空間�，F今制備太陽(yáng)能電池用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅，AluminumZincOde)等，純度要求一般在99.99%以上，其中，鋁靶、銅靶用于導電層薄膜。2017年公司濺射靶材、蒸鍍材料、其他產(chǎn)品的營(yíng)收占比分別為78.36%、18.4%、3.24%。公司營(yíng)業(yè)收入逐年增長(cháng)，毛利率和凈利率保持高位，盈利能力穩健提升。2014-2017年，公司營(yíng)業(yè)收入分別為0.83億元、1.24億元、1.75億元、2.36億元，年均復合增長(cháng)率為41.86%。2017年1-9月，毛利率均超過(guò)35%，凈利率20%左右，較高的毛利率凈利率體現了公司產(chǎn)品的技術(shù)含量的市場(chǎng)競爭力，同時(shí)表明了公司產(chǎn)品具有較強的盈利能力，有利于公司未來(lái)的可持續發(fā)展。

平板顯示鍍膜用濺射靶材主要品種有:鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、 銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫(ITO)靶材等。硅靶材作為應用于手機玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品,它的的研發(fā)情況、現在市場(chǎng)占有率、以及未來(lái)市場(chǎng)前景如何？從行業(yè)角度看,國內靶材市場(chǎng)至少有十倍的***替代空間。靶材是半導體、顯示面板、異質(zhì)結光伏領(lǐng)域等的關(guān)鍵核心材料,存在工藝不可替代性。據測算2019年大部分國家靶材市場(chǎng)規模在160億美元左右,而國內總需求占比超30%。太陽(yáng)能方面，HJT電池成本構成中,硅片占比接近 50%;非硅材料成本構成中,銀漿與靶材合計占比超過(guò)70%。2021年由于上游硅料供給受限以及虛擬商品價(jià)格波動(dòng),光伏產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)格呈現短期非常態(tài),對于電池成本構成因素的研究有較大擾動(dòng)。

硅靶材密度,硅靶材摻磷,硅靶材料采購,硅靶材濺射

地區：廣東 廣州 花都區
網(wǎng)址: http://UVTMCOM.glass.com.cn

產(chǎn)品屬性：
計量單位：套 供貨總量：9999 最小起訂量：1 產(chǎn)品單價(jià)：1750.00 品牌： 規格型號： 包裝說(shuō)明：