UVTM擁有廣東省“科技小巨人”企業(yè)稱(chēng)號、“廣東省省鎢鉬深加工工程實(shí)驗室”、“深圳市鎢鉬靶材工程技術(shù)研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工工程研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工研發(fā)中心”、“深圳市企業(yè)技術(shù)中心”、“廣東省鎢鉬靶材及硬質(zhì)合金新材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟”盟主稱(chēng)號，與國內多所高校、研究院所建立了良好的產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系，為公司技術(shù)研發(fā)提供良好的服務(wù)平臺，提高企業(yè)科研創(chuàng )新活力。

目前鍍膜基板多以TFT貼盒玻璃為主，通常先在5代及更高世代線(xiàn)生產(chǎn)完成TFT-array玻璃和CF玻璃制程以后，再經(jīng)過(guò)貼合及切割成3.5代線(xiàn)大小，送至減薄廠(chǎng)減薄，減薄后送至觸摸屏廠(chǎng)進(jìn)行Oncell觸控sensor制程�，F有的Oncell觸摸屏采用以TFT液晶顯示玻璃(包括array面板玻璃和CF玻璃)貼盒減薄好后的CF玻璃背面制造觸摸功能，實(shí)現液晶顯示和觸摸傳感器的雙重作用，該方法簡(jiǎn)單，成本較低，近年來(lái)受到人們的普遍關(guān)注。但由于鍍膜玻璃基板是經(jīng)過(guò)切割及減薄后的TFT貼盒玻璃，玻璃質(zhì)地非常脆，容易在鍍膜過(guò)程中因受熱而破裂，破裂后的玻璃碎片會(huì )從裝載小車(chē)掉落進(jìn)鍍膜真空腔體內部，且部分玻璃碎片會(huì )不可避免的擱在豎著(zhù)的靶材上面。由于靶材在鍍膜過(guò)程中會(huì )不停息的持續旋轉，致使擱在旋轉靶材上的玻璃會(huì )將靶材刮壞。靶材表面一旦刮壞后將無(wú)常放電起輝，進(jìn)而無(wú)常使用，影響鍍膜過(guò)程的正常進(jìn)行。而且由于鍍膜靶材價(jià)格昂貴，一支靶材通�？筛哌_20多萬(wàn)，其厚度卻不過(guò)5-9mm，因此針對表面受損的靶材通常不會(huì )直接遺棄，而是選擇修復，修復靶材就必須打開(kāi)鍍膜腔體用打磨機將靶材表面打磨平整，打磨靶材的過(guò)程一方面浪費了昂貴的靶材，另一方面也耽誤了生產(chǎn)，不利于提高生產(chǎn)效率。

半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來(lái)講，半導體芯片的制作過(guò)程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是半導體、顯示面板等的關(guān)鍵核心材料，國內總需求占比超30%，但可自主生產(chǎn)的市場(chǎng)規模不足2%。伴隨高等制造業(yè)向國內轉移趨勢，國產(chǎn)替代空間明顯。隨著(zhù)半導體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來(lái)越高，單位面積單晶硅片集成器件數呈指數級增長(cháng)，主流的硅片尺寸已從12英寸（300mm）逐漸邁向18英寸（450mm）或者更高，國內ITO導電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進(jìn)入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早，不僅具有上游原料優(yōu)勢。

在真空室的左右兩側設置左右大門(mén)，而在其中配裝蒸發(fā)裝置和磁控裝置，可在該雙門(mén)上預留該兩裝置的接口，以備需要時(shí)換裝。真空鍍膜機一般都是由真空系統、蒸發(fā)系統、薄膜卷繞系統、冷卻系統、控制系統等主要部分組成。當薄膜運行速度達到一定數值后，打開(kāi)擋板使氣態(tài)鋁微粒在移動(dòng)的薄膜基材表面沉積、冷卻即形成一層連續而光亮的金屬鋁層。通過(guò)控制金屬鋁的蒸發(fā)速度、基材薄膜的移動(dòng)速度等來(lái)控制鍍鋁層的厚度，一般鍍鋁層厚度在250～500。而蒸發(fā)真空鍍膜機是專(zhuān)業(yè)在塑料表面進(jìn)行蒸發(fā)鍍鋁、鉻、一氧化硅的專(zhuān)用設備，鍍出的膜層牢固且細密，是工業(yè)化生產(chǎn)的理想設備，其特點(diǎn)是它的環(huán)保性，真空鍍膜設備屬于無(wú)三廢、純凈的清潔生產(chǎn)設備。磁控濺射靶材是真空磁控濺射鍍膜的核心部件。

按開(kāi)關(guān)不同可分為：長(cháng)靶、方靶、圓靶。按應用領(lǐng)域不同可分為：半導體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。濺射：即集成電路制造過(guò)程中要反復用到的工藝；靶材：就是濺射工藝中必不可少的重要原材料。那么，不同應用領(lǐng)域，對材料的選擇及性能要求也有一定差異，low-e玻璃具有可以阻止空氣由熱向冷傳遞的特性,其指標有：輻射率、可見(jiàn)光透射比、遮陽(yáng)系數、傳熱系數、耐磨性、耐酸堿性目前有兩種主要生產(chǎn)方法：在線(xiàn)高溫熱解沉積法和離線(xiàn)真空磁控濺射法，其產(chǎn)品分別叫在線(xiàn)low-e玻璃和離線(xiàn)low-e玻璃。鍍膜玻璃離不開(kāi)金屬靶材，濺射靶材的使用量及成本占行業(yè)中相當大的比重。

17年國內半導體增速24.81%。半導體靶材性能要求位居各類(lèi)應用前列。半導體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。進(jìn)出口方面，產(chǎn)量方面，隨著(zhù)國內磁控濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高，我國靶材生產(chǎn)有相對的低成本優(yōu)勢。過(guò)去典型靶材種類(lèi)之一——高純鋁仍主要依賴(lài)****；但隨著(zhù)國內高純鋁的產(chǎn)量逐年增加，從年進(jìn)出口量的差距一直在縮小，2018年高純鋁出口量超過(guò)****量。2017大部分國家半導體產(chǎn)業(yè)超預期增速21.62%。從下游需求結構看，17年增長(cháng)主要源于半導體的主要應用是集成電路中的存儲器。

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