PZT靶材 鈦鋯酸鉛 99.99%

PZT壓電陶瓷是將二氧化鉛、鋯酸鉛、鈦酸鉛在1200度高溫下燒結而成的多晶體。具有正壓電效應和負壓電效應，PZT以及摻雜的PZT系列鐵電陶瓷成為近些年研究的焦點(diǎn)。

2024-06-03 面議/片

IGZO靶材 氧化銦鎵鋅 99.99

IGZO靶材 （In2O3-Ga2O3-ZnO）純度：99.99%應用：IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，載流子遷移率是非晶硅的20~30倍。IGZO用在新一代高性能薄膜晶體管(TFT)中作為溝道材料，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實(shí)現更快的刷新率，同時(shí)更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能

2024-05-31 面議/片

GZO靶材 氧化鋅鎵 99.99%

GZO靶材是Ga2O3和ZnO的混合物

2024-05-31 面議/片

FTO靶材 摻氟二氧化錫（SnO2

FTO：摻氟二氧化錫（SnO2:F），主要用于磁控濺射透明導電膜。 摻氟二氧化錫(FTO)靶材的常見(jiàn)比例 摻氟二氧化錫(FTO)靶材?99.99% SnO2:F=95:5 wt% 摻氟二氧化錫(FTO)靶材?99.99% SnO2:F=98:2 wt% 摻氟二氧化錫(FTO)靶材 99.99% SnO2:F=90:10 wt%1.高溫條件下，錫化合物、氟化合物氣體反應制粉 2.FTO粉末研磨 3.

2024-05-31 面議/片

ATO靶材 SnO2/Sb203

氧化錫銻（ATO）是一種新型透明導電氧化物薄膜，因具有資源豐富、價(jià)格低廉、無(wú)毒無(wú)污染，且禁帶寬度大（＞3.6eV）、導電性好、可見(jiàn)光透過(guò)率高、化學(xué)穩定性高、熱穩定性好等優(yōu)點(diǎn)，而成為最有可能替代氧化銦錫（ITO）薄膜的材料之一。

2024-05-31 面議/片

AZO靶材 99.99%（氧化鋅鋁

一、AZO靶材的定義及特點(diǎn) AZO靶材，全稱(chēng)氧化鋅鋁靶材，是一種特殊的摻雜型半導體材料。具體來(lái)說(shuō)，它是由氧化鋅（ZnO）和鋁（Al）組成的復合材料，通常表述為ZnO:Al。AZO靶材在各種科技領(lǐng)域中都有著(zhù)廣泛的應用，這歸功于其一系列獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)。 高密度 AZO靶材的高密度特性是其在涂膜過(guò)程中能夠保持均勻性的關(guān)鍵。高密度的AZO靶材可以保證在涂膜過(guò)程中的均勻性，從而提高最終制品的性能和質(zhì)

2024-05-31 面議/片

碲化鎘靶材 CdTe靶材

1.??? 熱壓燒結法： o??? 這種方法涉及將碲粉和鎘粉混合均勻后，直接進(jìn)行熱壓燒結以制得碲化鎘靶材。熱壓燒結過(guò)程中，無(wú)需在真空條件下進(jìn)行，即使是在真空條件下進(jìn)行也能實(shí)現本發(fā)明的效果。 o??? 具體步驟包括：將碲粉和鎘粉混合均勻，得到混合粉末；將混合粉末進(jìn)行熱壓燒結，得到碲化鎘靶材。這種方法簡(jiǎn)化了制備過(guò)程，提高了生產(chǎn)效率。

2024-05-31 面議/片

碳靶材 石墨靶材 C靶材

石墨靶材 高純碳靶材 純度：99.999% 符號：C 分子量：12.01 CAS號：7440-44-0 熔點(diǎn)：3500℃ 沸點(diǎn)：4827℃ 密度：1.8 水溶性：不溶于水 外觀(guān)：黑色 我公司采用高密度熱等靜壓石墨為原料制備靶材，具有致密度高、晶粒小等優(yōu)點(diǎn)。 ?

2024-05-31 面議/片

氮化硼靶材 BN靶材

氮化硼靶材 純度：99.9% 化學(xué)式：BN 分子量：24.82 CAS：10043-11-5 熔點(diǎn)：3000℃ 密度：2.26 氮化硼呈白色，用于高壓高頻電及等離子弧的絕緣體、自動(dòng)焊接耐高溫架的涂層、高頻感應電爐的材料、半導體的固相摻和料、原子反應堆的結構材料。

2024-05-31 面議/片

碲化鉍靶材 Bi2Te3靶材

碲化鉍靶材（Bi2Te3）4N 元素 ： Bi2Te3 ???? 純度 ： 4N ???? 形狀 ： 靶材 ???? 規格 ： 1片 ???? 包裝 ： 真空包裝、紙箱、木箱 ??? ? 理化性質(zhì)碲化鉍是一種灰色的粉末，分子式為Bi2Te3。熔點(diǎn)：585?C. 相對分子質(zhì)量： 800.76. CAS登錄號： 1304-82-1. 密度: 7.85g/cm3 (含量不同，密度不同，以實(shí)際要求為準.)

2024-05-31 面議/片