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僅原子厚的超薄材料和電路有望規;a(chǎn)

來(lái)源:科技日報 2016/12/9 11:17:32

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中玻網(wǎng)

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研究人員將斯坦福大學(xué)校標的納米圖片刻進(jìn)超薄芯片中,同樣技術(shù)未來(lái)可創(chuàng )建電子電路

 。▓D片來(lái)源:斯坦福大學(xué)官網(wǎng))

 據趣味科學(xué)網(wǎng)站近日報道,美國斯坦福大學(xué)研究人員用二硫化鉬研制出只有3個(gè)原子厚的芯片原型,并初次證明僅原子厚的超薄材料和電路可實(shí)現規;a(chǎn)。這些透明可彎曲材料未來(lái)可將窗戶(hù)或車(chē)頂變成顯示屏。

  由于目前的硅基芯片已很難進(jìn)一步縮小,研究人員試圖利用只有3個(gè)原子厚的單層材料取代硅芯片,石墨烯成為這類(lèi)材料的優(yōu)選。不過(guò),石墨烯有個(gè)致命弱點(diǎn),沒(méi)有導電性,不能用來(lái)生產(chǎn)電路的核心部件晶體。二硫化鉬因其良好導電性及超薄性成為研究人員的新寵。

  但三明治結構二硫化鉬在規;a(chǎn)中遇到難題:3個(gè)原子厚的二硫化鉬無(wú)法鋪展成制作芯片所需的拇指大小晶體,其困難程度如同用一張薄紙鋪滿(mǎn)整個(gè)斯坦福校園。

  該校電子工程學(xué)副教授艾瑞克·波普團隊現在解決了這一難題。他們利用化學(xué)蒸氣沉積工藝,通過(guò)加熱讓少量硫原子和鉬原子蒸發(fā),再讓其沉積到玻璃或硅基底物上形成超薄晶體層,較后成功將三個(gè)原子厚的二硫化鉬鋪展成1.5毫米寬的晶體,其寬度是單原子厚度的2500萬(wàn)倍。

  只有將電路蝕刻進(jìn)材料中,才能證明芯片可規;a(chǎn)。為此,波普團隊用標準蝕刻工具將斯坦福大學(xué)校標刻進(jìn)芯片原型中,更有趣的是,他們還在美國總統大選期間,將兩位候選人的納米級頭像刻進(jìn)原子薄層芯片。

  研究團隊下一步將集中精力對新方法進(jìn)行改進(jìn),以增強二硫化鉬在集成芯片中的一致性,并較終規;a(chǎn)實(shí)用電路!拔覀冋J為,可以做到將二硫化鉬直接集成到硅基上,垂直構建出立體微芯片,取代傳統平面結構的芯片!辈ㄆ照f(shuō),“這種立體芯片和電路更適合用在三維節能建筑中。而且二硫化鉬是一種透明、可彎曲材料,未來(lái)可將窗戶(hù)變成電視,或將車(chē)頂擋風(fēng)玻璃變成顯示器!

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