此次應用該方法進(jìn)行了反復生長(cháng)。該技術(shù)的特點(diǎn)是能夠以(100)面為生長(cháng)面繼續生長(cháng)。較初使具有(100)面的籽晶呈棒狀生長(cháng)，接著(zhù)對稱(chēng)為 (010)面的側面進(jìn)行研磨、使結晶在該面上生長(cháng)，然后再使結晶在(100)面上生長(cháng)，從而使結晶逐漸大型化。采用該方法可制造6.6克拉的鉆石單結晶。

　　此外，產(chǎn)綜研還開(kāi)發(fā)出了可減少損失、切割出板狀的直接晶圓化技術(shù)。直接晶圓化技術(shù)可在幾乎不浪費籽晶的情況下將晶圓切割成板狀，此次以良好的再 現性制造出了10mm見(jiàn)方的晶圓狀鉆石。直接晶圓化技術(shù)在氣相沉積生長(cháng)之前，事先注入作為籽晶的單結晶，然后在表面正下方導入缺點(diǎn)層。氣相沉積生長(cháng)后，缺點(diǎn)層便會(huì )形成石墨構造，因此能夠以電氣化學(xué)性蝕刻去除。該方法在切割籽晶時(shí)會(huì )損失部分籽晶，不過(guò)其消耗僅在1μm以下�？煞磸褪褂米丫�，切離的晶圓還可作為籽晶使用。這樣一來(lái)就不再需要制造晶錠，而且也不需要背部研磨部分的生長(cháng)。

此次由于使用的CVD裝置的關(guān)系，所制造的晶圓非常大只有10mm見(jiàn)方，不過(guò)為了擴大鉆石半導體元件應用的可能性，今后將力爭制造出1英寸以上的晶圓。今后將致力于通過(guò)改進(jìn)等離子發(fā)生裝置來(lái)實(shí)現均一化及大面積化，并采取導入現場(chǎng)觀(guān)察技術(shù)等手段來(lái)提高結晶質(zhì)量。