據日本樹(shù)脂業(yè)機構消息，日本研究開(kāi)發(fā)高等技術(shù)的技術(shù)研究協(xié)會(huì )日前發(fā)表了"非常高密度電子SI（system integration）技術(shù)"的成果，并稱(chēng)采用玻璃環(huán)氧系材料進(jìn)行了試驗�！　�
    該協(xié)會(huì )說(shuō)，ASET主要在電子領(lǐng)域開(kāi)發(fā)2010年以后所需要的基礎技術(shù)。非常高密度電子SI由3種技術(shù)構成：將半導體電子元件進(jìn)行非常高密度3維安裝的技術(shù)，光電復合安裝技術(shù)，較佳布線(xiàn)結構設計關(guān)聯(lián)技術(shù)。其中光電復合安裝技術(shù)的研究目標是實(shí)現超過(guò)100Gb/s的高速光傳輸路徑，其中引人注目的是，以低成本為中心推進(jìn)的光導波路薄膜轉印技術(shù)�！　�
    據說(shuō)過(guò)去在光電復合電路板將性能要求不同的元件安裝在同一塊電路板上，導致材料及工藝成本較高。而在轉印方式的技術(shù)中，分別在不同的制造工序上形成光導波路的薄膜與電路板，較后再將薄膜轉印到電路板上。因此光導波路的薄膜不再需要選用耐焊錫爐等高溫環(huán)境的材料�？梢允褂肞MM以及PMMA，因此簡(jiǎn)化制造工序�！　�
    實(shí)驗中使用的電路板采用了玻璃環(huán)氧系材料，在其上面加工形成BuildUp層。然后再將膜厚50μm的光導波路薄膜（單模形式）"轉印"到該電路板上。由于電路板上加工有焊錫電阻（Solder Resistor）從而形成了15-17μm左右的凹凸狀表面，通過(guò)使用粘接劑可以清理凹凸，使光導波路薄膜平坦層疊。其結果，在光導波路薄膜上面只有納米級的粗糙度，因此估計在其上面還可以很容易地重疊數層的光導波路薄膜。