作為第二代的多元金屬化合物薄膜太陽(yáng)能電池，是業(yè)界公認的對傳統晶體硅太陽(yáng)能電池的替代產(chǎn)品，而其中的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池又是較為的。近日，臺灣威士通太陽(yáng)光電研究所推出了目前全球較新較先進(jìn)的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池制造技術(shù)與生產(chǎn)設備，并在大陸注冊了推廣機構（遼寧陸臺太陽(yáng)能光伏科技開(kāi)發(fā)有限公司）并派駐了首席代表，地點(diǎn)設在遼寧省的沈陽(yáng)市。

技術(shù)特點(diǎn)：

先進(jìn)處之一：先進(jìn)在鍍膜技術(shù)上與鍍膜面積大。制造銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的較核心技術(shù)，就在膜層的沉積及其硒化熱處理結晶的工藝上。目前世界上只有德國、瑞士、日本和美國等極少數國家擁有這項技術(shù)，臺灣在這項技術(shù)上已超越了這幾個(gè)國家。銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池膜層的制程，是多年來(lái)業(yè)界所追求的能低成本技術(shù)，而其中的硒化熱處理更是業(yè)界長(cháng)久以來(lái)未能突破的較關(guān)鍵性技術(shù)，近年來(lái)全球為攻克此項技術(shù)的研發(fā)費用已燒掉了上百億美元，目前已取得領(lǐng)先地位的這幾個(gè)國家，使用的都是高溫氣體硒硒化熱處理，還不甚理想，因為硒化爐主要是以石英管為體、硒化氫氣體為原料，因受石英管的限制，操作面積小、升溫慢、降溫更慢（約需10小時(shí)），且產(chǎn)成品的優(yōu)良率低，另外，硒化氫氣體容量爆炸，材料價(jià)格也比較高，而臺灣研發(fā)成功的是低溫固體硒硒化熱處理，這是對此項關(guān)鍵技術(shù)的革命性突破。此外，鍍膜面積達1～2平方米，是目前全球鍍膜幅面較大的，而且膜層均勻度公差小于3%，且制程速度快，成本比國外工藝節省10倍。

先進(jìn)處之二：先進(jìn)在轉換率可以在同機上持續提升。使用本技術(shù)鍍膜的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的實(shí)驗室轉換率已達29%，這是所有已知各種材料的太陽(yáng)能電池較高的，目前首次定制的實(shí)際轉換率是11～12%，居所有已知薄膜太陽(yáng)能電池之首，它雖然沒(méi)有晶體硅太陽(yáng)能電池初始轉換率高，但它不存在衰退問(wèn)題，相反其轉換率還會(huì )與時(shí)俱增，而晶體硅太陽(yáng)能電池的轉換率卻與時(shí)俱減，且衰退速度極快。本項技術(shù)的較大特點(diǎn)是預設了后續提高轉換率的因子，隨著(zhù)對鍍腹操作熟練程度的提高，可隨時(shí)改變預設參數陸續提高相應的轉換率，而且是在同一個(gè)設備上提升，無(wú)須再重復更換新的設備。作為多元金屬化合物薄膜太陽(yáng)能電池，比晶體硅太陽(yáng)能電池對太陽(yáng)光波長(cháng)的敏感度都高，光譜吸收范圍也很大，即使是在弱光條件下仍可吸收光源而產(chǎn)生電能，而采用較新鍍膜制程獲得優(yōu)質(zhì)膜層的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池則更顯突出，同樣1W設備在同樣天候下，銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池是晶體硅太陽(yáng)能電池發(fā)電量的1.3倍。

設備特點(diǎn)：

先進(jìn)處之一：優(yōu)化的30兆瓦整廠(chǎng)生產(chǎn)設備。全制程的設備都是自主研發(fā)的，沒(méi)有任何嫁接和拼湊，Turn－Key底子雄厚，經(jīng)驗豐富，整廠(chǎng)成套生產(chǎn)線(xiàn)中關(guān)鍵設備均為自廠(chǎng)制造，一是確保設備的質(zhì)量，穩定性世界靠前，能保障穩產(chǎn)高產(chǎn)，二是整廠(chǎng)成套生產(chǎn)線(xiàn)優(yōu)化到了良好，從而控制了設備的制造成本，價(jià)格要比國外同樣產(chǎn)能的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)低很多。三是利用整廠(chǎng)成套生產(chǎn)線(xiàn)可以在廠(chǎng)內自制靶材和廠(chǎng)內貼合，實(shí)現生產(chǎn)成本與產(chǎn)品成本的自主控制。四是設備對模層要求含量的設定是共蒸和濺鍍，可做任意修改，任意選擇膜層的摩爾比，預留的可變因子可用于調整銅銦鎵硒結晶的各種準確組合，方便于后期電池片轉換率的預期升級。

先進(jìn)處之二：擁有多項核心自主的技術(shù)專(zhuān)利。專(zhuān)利之一：銅銦鎵硒四元靶材、制法、靶背板接合方法及其補料方法(含四元靶材制作、靶背板制作及接合、靶材補料三種專(zhuān)利)。專(zhuān)利之二：銅銦鎵硒硒化熱處理方法及設備（真空、快速升溫、快速降溫、公轉、自轉、Se單體、S單體)1.4M×1.1M每批次2pcs約40分鐘。專(zhuān)利之三：銅銦鎵硒制程中的大型基板全方位調移系統（適用于立式濺射及熱處理制程等之基板承載）。專(zhuān)利之四：長(cháng)線(xiàn)型熱蒸發(fā)源（長(cháng)度可達到2米，膜厚均勻度在3%以?xún)龋�。�?zhuān)利之五：銅銦鎵硒制程中的基板單面化學(xué)水浴鍍膜（CBD）制程及其設備（緩沖層的CdS鍍膜，其前趨溶液在每次反應后即成無(wú)害無(wú)污染廢水，此發(fā)明溶液用量較少可穩定成膜，降低成本并環(huán)保）。專(zhuān)長(cháng)：銅銦鎵硒粉末系列制程（設備與Know How）。CuIn CuGa CIG CIGS等powder。專(zhuān)長(cháng)：CIGS Turn－Key整廠(chǎng)輸出。