磁控/蒸發(fā)兩用鍍膜設備：

此設備利用磁控濺射陰極輝光放電將原子（靶材）離化沉積在基材上（物理氣相沉積PVD）和真空中利用電阻加熱法將金屬絲熔融或金屬分子汽化，對基材、手機殼等塑料表面進(jìn)行金屬化、利用特定薄膜涂層實(shí)現產(chǎn)品不導電和電磁屏蔽的作用，以滿(mǎn)足現行手機的高端電子產(chǎn)品制造行業(yè)標準；

設備集中了等離子體處理，高端陰極磁控濺射，、電阻蒸發(fā)鍍膜裝置，大裝載量轉架和自動(dòng)化控制技術(shù)，工作可靠、重復性一致性良好、沉積速率高快，附著(zhù)力好，膜層品質(zhì)細膩等，鍍制的薄膜致密硬度高，磨擦系數低，可保持原有工件表面光潔，具有韌性好，不易破裂脫落。設備實(shí)現鍍膜工藝全自動(dòng)化控制。在基材表面利用真空鍍膜方法進(jìn)行涂層，具有生產(chǎn)成本低、產(chǎn)品合格率高、綠色環(huán)保等特點(diǎn)，主要適用于電腦、手機、高端工業(yè)（家用）電子電器、航空等領(lǐng)域，，可鍍制復合金屬膜、合金膜、透明（半透明）膜、不導電膜、電磁屏蔽膜及特殊膜層等。

型號JTZ-1000 JTZ-1200 JTZ-1300 JTZ1400

真空室尺寸￠1400×1400MM ￠1200×1500MM ￠1300×1800MM ￠1400×1800MM

制膜種類(lèi) 金屬膜、半透明膜、不導電膜、電磁屏蔽膜、介質(zhì)膜等

電源類(lèi)型 電阻蒸發(fā)電源、直流磁控電源、射頻電源

濺射及電極結構 圓柱磁控靶、平面矩形靶、孿生靶、蒸發(fā)電極

真空室結構 立式雙開(kāi)門(mén)、立式單開(kāi)門(mén)、后置抽氣系統/臥式單開(kāi)門(mén)、側置抽氣系統

極限真空 4.0×10-4PA

真空系統組成 擴散泵+羅茨泵+機械泵+維持泵

抽氣時(shí)間 從大氣抽至8.5×10-3PA，小于或等于15分鐘

工件運動(dòng)方式 公自轉/變頻調速

控制方式 手動(dòng)/自動(dòng)一體化式，觸摸屏+PLC

備注 以上設備可按客戶(hù)實(shí)際及特殊工藝要求設計訂做