高純鉿（Hf）靶材 99.99%

鉿濺射靶材 具有與金屬鉿相同的性能。它的熔點(diǎn)2233 °C，沸點(diǎn)4603°C，密度13.31g /cm3，是一種帶光澤的銀灰色的過(guò)渡金屬。金屬鉿強度適中，抗腐蝕性好，中子吸收能力高，大量用于原子能工業(yè)；鉿可以生成多種合金，還可作賤金屬的表面包膜。 我公司可提供進(jìn)口低鋯高純鉿，可加工成靶材，顆粒等。 ? 鉿靶材制備工藝流程 備料 - 電子束熔煉 - 化學(xué)分析 - 鍛造 - 軋制 - 退火 - 金相

2024-07-03 面議/片

高純鍺（Ge）靶材 99.999%

鍺濺射靶材由高純鍺金屬組成。是一種硬而脆的材料，具有半金屬，灰白色的外觀(guān)。它的密度為5.35 g / cc，熔點(diǎn)為937°C，在1,167°C下的蒸氣壓為10 -4 Torr。在光學(xué)存儲介質(zhì)和光學(xué)涂層的生產(chǎn)中，它經(jīng)常在真空下蒸發(fā)以形成層。這種材料的其他用途是用作合金化劑和催化劑。 鍺靶材制備工藝流程 備料 - 區域熔煉 - 化學(xué)分析 - 鍛造 - 軋制 - 退火 - 金相檢測 - 機加工 -

2024-07-03 面議/片

硒化鋅（ZnSe）靶材 99.99%

硒化鋅材料對熱沖擊具有很高的承受能力，使它成為高功率CO2激光器系統中的光學(xué)材料。硬度只是多光譜級ZnS的2/3，材質(zhì)較軟易產(chǎn)生劃痕，而且材料折射率較大，所以需要在其表面鍍制高硬度減反射膜來(lái)加以保護并獲得較高的透過(guò)率。在其常用光譜范圍內，散射很低。在用做高功率激光器件時(shí)，需要嚴格控制材料的體吸收和內部結構缺陷，并采用最小破壞程度的拋光技術(shù)和光學(xué)質(zhì)量的鍍膜工藝。 光學(xué)性能 體吸收系數 ： 0.00

2024-07-03 面議/片

硒化銻（Sb2Se3）靶材 99.99

硒化銻（Sb2Se3）靶材 99.99% 理化性質(zhì)硒化銻為灰色塊狀物，熔點(diǎn)：611℃。分子量: 480.4。CAS號: 1315-05-5。密度: 5.843g/cm3。保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置。 應用領(lǐng)域三硒化二銻是一種無(wú)機化合物，化學(xué)式為Sb2Se3。它在自然界以硫化物礦石硒銻礦存在，晶體結構屬于正交晶系。這種化合物中，銻的氧化態(tài)為 3而硒為-

2024-07-03 面議/片

硒化鎘（CdSe）靶材 99.99%

硒化鎘（CdSe）靶材? 99.99% 理化性質(zhì) 熔點(diǎn)：1350℃。分子量: 191.371。CAS號: 1306-24-7。密度: 5.81g/cm3 1.由金屬鎘與硒化氫共熱可制得硒化鎘。也可通過(guò)高溫，使金屬鎘與硒直接化合而得。2.將硒化氫氣體通入氯化鎘溶液，使硒化鎘沉淀析出，通過(guò)抽濾、洗滌、干燥，便可得硒化鎘產(chǎn)品。應用領(lǐng)域用于電子發(fā)射器和光譜分析、光導體、半導體、光敏元件等。 ?

2024-07-02 面議/片

硒化鉍（Bi2Se3）靶材 99.99

硒化鉍（Bi2Se3）靶材 99.99% 理化性質(zhì)硒化鉍斜方六面體晶結構。黑色結晶體物質(zhì). 密度6.82g/cm3。熔點(diǎn)710℃。不溶于堿，易為濃酸、王水所分解。由硒和鉍直接反應或氧化鉍和硒化氫作用制取，為半導體材料和溫差電材料。 應用領(lǐng)域它是一種半導體，為熱電材料。具有完美化學(xué)計量比的硒化鉍是半導體，帶寬為0.3 eV，其硒空穴是電子授體，化學(xué)性質(zhì)類(lèi)似半金屬. 在硒化鉍中，觀(guān)察到了拓撲保護表面態(tài)

2024-07-02 面議/片

鐵酸鉍（BiFeO3）靶材 99.99

鐵酸鉍（BiFeO3）靶材 99.99% 鐵酸鉍(BiFeO3 )，屬于多鐵性(multiferroic)材料的一種，具有鐵電性和反鐵磁性，是當前多鐵材料研究的熱點(diǎn)之一。其鐵電居里溫度820 ℃，反鐵磁奈爾溫度370℃，因此在室溫下具有多鐵性，其具有廣闊的應用前景

2024-07-02 面議/片

銻化鋅（Zn3Sb2）靶材 99.99

銻化鋅（Zn3Sb2）靶材 99.99%

2024-07-02 面議/片

羥基磷灰石（Ca5HO13P3）靶

羥基磷灰石（Ca5HO13P3）靶材 99.9%

2024-07-02 面議/片