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CIGS薄膜電池何時(shí)才能“封后”?

來(lái)源:OFweek太陽(yáng)能光伏網(wǎng) 2014/12/1 16:05:57

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中玻網(wǎng)】時(shí);孟,晶硅與薄膜就像皇宮里的皇后與妃嬪。一直以來(lái),在太陽(yáng)能電池的世界里,似乎薄膜太陽(yáng)能電池只能是“妃嬪”,晶硅電池才是堂堂“皇后”,而CIGS成了妃嬪當中與“皇后”爭寵的佼佼者。當然,現實(shí)中的晶硅與薄膜之爭不像宮斗戲中的爾虞我詐、勾心斗角,它們相對純真,只不過(guò)簡(jiǎn)單地想分個(gè)高低成為市場(chǎng)主角而已。
  
  還記得9月份的光伏大佬喊話(huà)嗎?天合光能的高紀凡、保利協(xié)鑫的舒樺、英利集團的宋登元等,無(wú)不力撐晶硅,直指薄膜路線(xiàn)薄弱之處。一時(shí)媒體圍觀(guān)的氛圍,險些要走火。
  
  不過(guò),薄膜電池似乎也不甘落后。10月16日,德國高科技設備制造商Manz集團在北京宣布研制出CIGS薄膜太陽(yáng)能電池實(shí)驗室轉換率由21%提升至21.7%,再次刷新世界紀錄,不得不令人刮目相看。
  
  我們知道,身為多元化合物薄膜太陽(yáng)能電池的重要一員,CIGS薄膜電池技術(shù)是目前行業(yè)內公認的較有工業(yè)化前景的薄膜發(fā)電技術(shù),更被全部稱(chēng)為下一時(shí)代較有前途的廉價(jià)太陽(yáng)電池之一。它所具備的特別的優(yōu)點(diǎn),無(wú)不顯示出其強烈的存在感。也正是這種日漸強烈的存在感與巨大潛力,讓晶硅與薄膜之爭更趨白熱化。
  
  只不過(guò)前些年,光伏薄膜組件的發(fā)展相對低迷,雪上加霜的是陸續有國內外公司關(guān)閉了薄膜業(yè)務(wù),從較早的歐瑞康到近期的杜邦,都因薄膜業(yè)務(wù)無(wú)法帶來(lái)有效利潤增長(cháng)而放棄。但即使是這樣,以Manz等為代表的制造商卻依舊大力推廣薄膜,尤其是CIGS。
  
  莫非其是想展示“明知山有虎,偏向虎山行”的霸氣?筆者以為,怕是“醉過(guò)方知酒濃,愛(ài)過(guò)方知情重”。
  
  優(yōu)勢對比
  
  雖然有生產(chǎn)設備和技術(shù)瓶頸的制約,但在CIGS薄膜太陽(yáng)能電池四十多年的發(fā)展中,其研發(fā)不斷取得打破,相比于晶體硅電池的獨特優(yōu)勢也在日益突顯。有時(shí)甚至覺(jué)得CIGS可謂是點(diǎn)著(zhù)晶體硅的“死穴”在發(fā)展。
  
  比如,CIGS薄膜太陽(yáng)能電池光吸收能力強,可吸收光譜波長(cháng)范圍廣,與同一瓦數級別的晶硅太陽(yáng)能電池相比,每天可以超出至少10%比例的總發(fā)電量。
  
  又比如,晶硅電池有光致衰減的特性,其發(fā)電效能會(huì )逐漸減退,而CIGS太陽(yáng)能電池則沒(méi)有光致衰減特性,發(fā)電穩定性高。晶硅太陽(yáng)能電池長(cháng)時(shí)間發(fā)電后,或多或少存在熱斑現象,維護費用高,而CIGS太陽(yáng)能電池能采用內部連接結構,所需維護費用相對較低。
  
  再比如,生產(chǎn)成本低,組件轉換效率逼近晶體硅組件。主要構成CIGS太陽(yáng)能電池的金屬元素不是貴重金屬,原材料需求量也不高,成本下降空間大,但其轉換效率并不低,能源回收周期也短,這與成本下降有限的晶體硅電池相比,實(shí)在是很大的競爭優(yōu)勢。
  
  實(shí)例對比
  
  很多時(shí)候,筆者都覺(jué)得薄膜技術(shù)路線(xiàn)還很需要時(shí)間,現在各業(yè)內人士以及媒體的捧殺,都沒(méi)有安安心心做出一個(gè)好的工程案例來(lái)得厚實(shí)。既然說(shuō)到對CIGS的鐘愛(ài),筆者也查閱了一些過(guò)往實(shí)例。
  
  據記載,2008年9月,西班牙建成了的3.24兆瓦銅銦鎵硒電站,并成功運行。
  
  在我國國內,也已經(jīng)有人嘗到了甜頭。兩年多前投建的云南石林1MWCIGS薄膜電池并網(wǎng)發(fā)電項目,到如今已經(jīng)成功運行一年多了。我們來(lái)看一組數據:使用Manz組件的云南石林1MWCIGS薄膜電站,就占地面積來(lái)說(shuō),按照多晶硅組件轉化率15%,CIGS組件14.6%來(lái)計算,CIGS占地面積是多晶硅的1.028倍,超出2.8%。雖然多晶硅單片轉換效率已可超18%,但封裝組件之后也僅有15-16%左右,而CIGS組件不存在封裝的問(wèn)題。假設日滿(mǎn)發(fā)時(shí)間為4小時(shí),發(fā)出10000千瓦時(shí)電量時(shí),多晶硅組件面積為16666㎡,而CIGS模組為15566㎡,節約6.4%。計算模組單位面積(1㎡)發(fā)電量,同樣假設滿(mǎn)發(fā)時(shí)間4小時(shí),則晶硅發(fā)電0.6千瓦時(shí),CIGS發(fā)電0.642千瓦時(shí),超出7%。

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