氧化物靶材,氧化鈦靶材,氧化

?靶材中毒是由于在濺射過(guò)程中帶有正電的離子聚集在靶表面。然后并沒(méi)有得到中和，便出現靶表面負偏壓逐步下降。這所謂的靶中毒現象。對于影響靶材中毒的因素是什么呢？1.影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過(guò)量就會(huì )導致靶中毒。反應濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(cháng)的過(guò)程。采用中頻電源或射頻電源打一個(gè)到兩個(gè)小時(shí)，可以恢復。

2024-08-16 面議/套

高純鎳靶,鎳鉻合金靶,鎳鐵合

? ? ? 稀土金屬鈰靶材Ce，金屬鉻靶材Cr，金屬鈷靶材Co，金屬銅靶材Cu，稀土金屬鏑靶材Dy，稀土金屬鉺靶材Er，稀土金屬銪靶材Eu，稀土金屬釓靶材Gd，鍺靶材Ge，黃金靶材Au，金屬鉿靶材Hf，稀土金屬鈥靶材Ho，金屬銦靶材In，金屬銥靶材Ir，金屬鐵靶材Fe，金屬鑭靶材La，金屬镥靶材Lu，金屬鎂靶材Mg，金屬錳靶材Mn，難熔金屬鉬靶材Mo，稀土金屬釹靶材Nd，金屬鎳靶材Ni，難熔金屬鈮

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低磁性鎳靶材 科研鎳靶 高純

濺射靶材制備電子薄膜的關(guān)鍵材料，也是濺射過(guò)程中的轟擊目標。鎢濺射靶材按照化學(xué)成分可以分為純鎢濺射靶材、鎢合金濺射靶材和氧化鎢濺射靶材。2019年，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節集中度進(jìn)一步提高。多晶硅領(lǐng)域，日本日礦金屬、東曹公司，美國霍尼韋爾、普萊克斯公司，排名前五的企業(yè)產(chǎn)量約為23.7萬(wàn)噸，約占全國總產(chǎn)量的69.3%,同比增長(cháng)9個(gè)百分點(diǎn)日本是大部分國家主要的半導體材料生產(chǎn)國，并在半導體材料里長(cháng)期保持優(yōu)勢，生產(chǎn)半導

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高純金屬靶材,多元合金靶材,

ITO靶材市場(chǎng)應用狀況大部分國家2005 年需求563t，2007 年869t，2009 年1300t，2010 年1445t，2012 年將近2000t，每年以平均15%的增長(cháng)率遞增。其中日本日礦材料公司占市場(chǎng)50%，日本三井礦業(yè)占25%，東曹占15%，科寧占10%，國內靶材公司占據數額幾乎可以忽略不計。 靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領(lǐng)域。貨品的深加工技術(shù)朝高純化、精細化

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鐵磁性靶材,非磁性靶材,磁控

ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質(zhì)結光電器件與p-n結光電池比較具有工藝簡(jiǎn)單,轉換效率高等特點(diǎn)。在靶材制造的過(guò)程中，需要經(jīng)歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。ITO有著(zhù)多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導體Si上形成勢壘作為

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hit電池靶材,hjt電池靶材,異

目前國內氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法，以及化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學(xué)方法。在這些制備技術(shù)中，磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結構、均勻性等易于調控的優(yōu)勢，是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一，以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管

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氧化鋅鋁靶材,azo靶材,AZO綁

? ? 尤特制備的AZO靶材，客供太陽(yáng)能光伏和Low-e玻璃鍍膜用，AZO靶材能制備比例：98:2、99:1，化學(xué)式: AZO。? ? 磁控濺射靶材廣泛應用于用于建筑/汽車(chē)玻璃工業(yè)、薄膜太陽(yáng)能工業(yè)、平面顯示工業(yè)、裝飾/功能鍍膜工業(yè)。隨著(zhù)國內靶材行業(yè)研發(fā)的投入和發(fā)展，國內已有靶材供應商、制造商的生產(chǎn)出來(lái)的靶材達到了進(jìn)口的水平。在廣州，尤特新材料成為全球全球較好個(gè)研制最長(cháng)、最厚旋轉靶材的制造商，隨著(zhù)研

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合金靶材廠(chǎng)家 合金靶材公司

? ? ? 高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。在這樣的產(chǎn)業(yè)背景下，大部分國家對于晶圓的需求量將不斷提升。據SEMI預測，未來(lái)兩年，大部分國家晶圓出貨量將從2017年的11448百萬(wàn)平方英寸上升到2019年的12235百萬(wàn)平方英寸.年復合增長(cháng)率為3.38%�；�于此，2017年，大部分國家晶圓制造材料市場(chǎng)規模達到259.8億美元，其中，靶材在晶圓制造和封測中占比均在3%左右，預計201

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銅靶材價(jià)格 銅銀合金靶材 銀

? ? ? 在市場(chǎng)需求和政策鼓勵下，國內半導體市場(chǎng)保持著(zhù)平穩較快發(fā)展，國內半導體材料產(chǎn)業(yè)、靶材產(chǎn)業(yè)規模也日益擴大，其增速高于大部分國家增速，在大部分國家市場(chǎng)中所占份額逐漸提升。得益于中國大陸晶圓廠(chǎng)建設的迅猛勢頭，中國已經(jīng)成為大部分國家具潛力的半導體材料新興市場(chǎng)。2016 年國內半導體用濺射靶材市場(chǎng)規模打破 14 億元，大部分國家半導體用濺射行業(yè)高層度研究靶材市場(chǎng)規模打破 12 億美元。我們預測，未

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4N高純銅靶材 銅靶材廠(chǎng)家 銅

光伏領(lǐng)域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池。太陽(yáng)能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池，靶材主要應用于薄膜太陽(yáng)能電池的背電極環(huán)節以及HIT（異質(zhì)結）電池的導體層。晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高率硅片太陽(yáng)能電池，其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域，而HIT作為PERC（鈍化發(fā)射極及背局域接觸電池）未來(lái)的替代技

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