鋅錫靶材,旋轉鋅錫管靶,鋅錫

? ? ? 芯片對濺射靶材的要求非常之高要求靶材純度很高一般在5N（99.999%）以上。5N就是表示有5個(gè)9，4N表示有4個(gè)9即99.99%，哪個(gè)純度更高一看就明白了。在提純領(lǐng)域，小數點(diǎn)后面每多一個(gè)9，難度是呈指數級別的增加，技術(shù)門(mén)檻也就更高。應用與市場(chǎng)格局到這里，知道了高純?yōu)R射靶材，知道了金屬靶材的鋁、鈦、銅、鉭那怎么判斷哪個(gè)金屬應用幾寸晶圓上哪個(gè)用在先進(jìn)制造工藝上？半導體晶圓制造中200mm

2024-08-08 面議/套

氧化鋅錫靶材 TZO靶材 鋅錫

靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)。不斷研發(fā)滿(mǎn)足薄膜性能要求的新型靶材發(fā)展。經(jīng)過(guò)多年的科技攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應用，目前國內高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)逐漸掌握關(guān)鍵技術(shù)門(mén)檻，結束了零的局面，生產(chǎn)能力，可以預見(jiàn)未來(lái)會(huì )達到高速發(fā)展時(shí)期。 隨著(zhù)消費電子等終端應用的飛速發(fā)展，高純度濺射靶材的市場(chǎng)銷(xiāo)售額日益擴大。中國及亞太地區靶材的需求占有世界70%以上的市場(chǎng)份額。研究用大量不同的沉積技術(shù)用來(lái)沉

2024-08-08 面議/套

鍍膜靶材,陶瓷靶材,氧化鋅錫

真空鍍膜設備的結構你了解嗎？比如：真空室結構：立式開(kāi)門(mén)真空系統：分子泵 羅茨泵 旋片泵機組極限真空度：優(yōu)于6.6×10-4Pa（空載冷態(tài)）抽氣從大氣至6.6×10-3Pa≤12分鐘從大氣至6×10-2Pa≤5分鐘靶源配置：6套電弧靶、2對中頻濺射控制方式：手動(dòng)型/PLC半自動(dòng)型/工控機全自動(dòng)型（客戶(hù)自選）可鍍制膜層：TiN、TiC、TiO、TiCN、TiAlN、TiAlCN、CrC、ZrN、以及N

2024-08-08 面議/套

99.99%高純鋁靶 高純鋁靶材

高純靶材主要用于對材料純度、穩定性要求更高的領(lǐng)域，像集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。在濺射靶材應用領(lǐng)域中，半導體芯片對濺射靶材的要求是比較高的，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求

2024-08-08 面議/套

旋轉靶材廠(chǎng)家 廣州旋轉靶材

通威股份的光伏電站是一體化的，由于屬于分布式光伏發(fā)電，這種新模式的上網(wǎng)電價(jià)比較高，利潤可觀(guān)。通威股份的硅材料目前產(chǎn)能達到6.5萬(wàn)噸，今年達到8萬(wàn)噸，明年大概是11萬(wàn)噸。每噸成本在4萬(wàn)左右，目前市場(chǎng)價(jià)格在6-8萬(wàn)，公司的毛利達到28%。根據中國濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)數據顯示：靶材在半導體材料中占比約為2.5-3%。上海和廣州是全國經(jīng)濟中心城市，是國際有名的港口城市，也是長(cháng)三角的****城市。這里人才匯集、

2024-08-08 面議/套

991ITO靶材,973ITO靶材,955I

?IT目前，氧化物薄膜材料的主要成型方法主要有： ? ? ? ?1. 熱等靜壓法是將粉末或預先壓成的素坯裝入包套后，再將套內抽真空焊接密封，放入高壓容器內，使粉末在高溫及等方壓力下燒結，成型和燒結同時(shí)進(jìn)行 。在ITO靶材的發(fā)展中，早期采用的熱等靜壓技術(shù)難以獲得高密度、大尺寸的材料。隨著(zhù)常壓燒結方法的出現，熱等靜壓法制備的靶材尺寸偏小、密度偏低、失氧率高且該方法設備偏貴、成本偏高的缺點(diǎn)，使熱等靜壓法

2024-08-08 面議/套

多弧銅靶材,多弧靶材,圓餅銅

半導體內部是由長(cháng)達數萬(wàn)米的金屬配線(xiàn)而組成，而濺射靶材則是用于制作這些配線(xiàn)的關(guān)鍵消耗材料。如蘋(píng)果A10處理器，指甲蓋大小的芯片上密布著(zhù)上萬(wàn)米金屬導線(xiàn)，這些密布的電路必須要對高純度的金屬靶材通過(guò)濺射的方式形成。濺射靶材是半導體晶圓制造環(huán)節核心的高難度材料，芯片對濺射靶材的要求非常之高，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。5N就是表示有5個(gè)9，4N表示有4個(gè)9即99.99%，哪個(gè)純度更高

2024-08-08 面議/套

ito靶材廠(chǎng)家 旋轉靶材廠(chǎng)家

? ? ?在氦氣或氮氣保護氣氛下，通過(guò)送粉裝置將CuSe粉體送到超音速冷噴涂技術(shù)槍?zhuān)�高速氣流將CuSe粉體按掃描方式逐層噴射在基體表面，每層1～5μm，直至CuSe堆積層的厚度達到5～20mm，冷卻至室溫，其中，冷噴涂****處氣體壓強為2～3MPa，氣體溫度為100～200℃；工作氣加熱到200～300℃，增壓至3～5MPa；噴射距離為30～55mm。 ? ? ?當前難熔金屬以及合金旋轉靶材的加

2024-08-07 面議/套

平面靶材 氧化銦粉報價(jià) 氧化

? ? ? 目前大部分國家高等靶材市場(chǎng)主要分布于韓國、、中國、日本，中國有超過(guò)20家靶材生產(chǎn)企業(yè)，依靠國內的巨大市場(chǎng)潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢，國內的靶材制造商已經(jīng)在國內市場(chǎng)占有一定的市場(chǎng)份額，并逐步在個(gè)別細分領(lǐng)域搶占了部分國際大廠(chǎng)的市場(chǎng)空間。UVTM擁有多年開(kāi)發(fā)和工作經(jīng)驗的納米材料，并擁有冷噴涂技術(shù)生產(chǎn)金屬合金靶材，其制備的靶材Sn和O含量均略低于國產(chǎn)靶材。UVTM還是靶材綁定方面的

2024-08-07 面議/千克